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UN1210-XXXH	文件：2.73844 Mbytes Page：7 Pages	MULTILAYERCHIPVARISTORS Feature VaristorVoltagefrom12Vto470V Fastresponsetime Lowleakagecurrent Highsurgecurrentability Bidirectionalclamping,highenergy WideOperatingtemperaturerangefrom-55℃-125℃ SuitableforESDprotection	UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司	UNSEMI
UNR1210	文件：347.81 Kbytes Page：14 Pages	SiliconNPNepitaxialplanartype SiliconNPNepitaxialplanartype Fordigitalcircuits ■Features ?Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts ?Mtypepackageallowingeasyautomaticandmanualinsertionas wellasstand-alonefixingtotheprintedcircuitboard	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
UNR1210	文件：87.87 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNepitaxialplanertransistor SiliconNPNepitaxialplanertransistor Forswitching/digitalcircuits ■Features ●Twoelementsincorporatedintoonepackage. (Transistorswithbuilt-inresistor) ●Reductionofthemountingareaandassemblycostbyonehalf. ■BasicPartNumberofElement ●UNR1210(UN1210)×2elemen	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
URF1210	文件：174.05 Kbytes Page：2 Pages	SwitchmodeFullPlasticDualUltrafastPowerRectifiers	MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司	MOSPEC
VB1210	文件：768.9 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?GenIIIPowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
VBA1210	文件：609.4 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
VBA1210	文件：625.13 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?PowerMOSFET ?OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
VDA1210CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,?1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安納森半導(dǎo)體安納森半導(dǎo)體香港有限公司	ANASEM
VDA1210NTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,?1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安納森半導(dǎo)體安納森半導(dǎo)體香港有限公司	ANASEM
VJ1210	文件：66.2 Kbytes Page：1 Pages	MultilayerCeramicChipCapacitors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VJ1210	文件：78.63 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorsforCommercialApplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VJ1210	文件：135.25 Kbytes Page：15 Pages	SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorsforHighReliabilityApplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VJ1210	文件：208.43 Kbytes Page：15 Pages	SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorSolutionsforBoardflexSensitiveApplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VJ1210	文件：89.72 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorsforTCCCriticalApplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VJ1210	文件：136.56 Kbytes Page：14 Pages	SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorsforCommercialApplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VJ1210	文件：117.43 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorsProhibitSurfaceArc-overinHighVoltageApplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VJ1210	文件：134.02 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorsProhibitSurfaceArc-overinHighVoltageApplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VJ1210	文件：342.37 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorsforHighReliabilityApplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VJ1210	文件：103.47 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorsforCommercialApplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VN1210	文件：70.06 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs? AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
UN1210R
功能描述：
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	UN1213		23+	TO-92L	11200	原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	UN1215	Panasonic/松下	24+	SOT-323	9200	新進(jìn)庫存/原裝	詢價(jià)
UN1215	Panasonic	21+	SOT-323	6000	絕對(duì)原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	UN1215	PANASON	2023+	SOT-423	80000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市芯誠實(shí)創(chuàng)科技有限公司	UN1215	Panasonic/	2022	SOT-323	9200	全新原裝現(xiàn)貨熱賣	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	UN1215/8E	Panasonic	22+23+	Sot-323	27758	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市拓億芯電子有限公司	UN1224	PANASONIC/松下	23+	TO92	9800	全新原裝現(xiàn)貨,假一賠十	詢價(jià)
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北京京北通宇電子元件有限公司	UN135-060	UN SEMICONDUCTOR	24+	con	10000	查現(xiàn)貨到京北通宇商城	詢價(jià)
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更多UN1210R供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-24 14:48:00

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