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UMHVP-1210N

包裝：管件 封裝/外殼：4-DIP 模塊 類別：電源 - 板安裝 直流轉(zhuǎn)換器 描述：HV DC-DC CONVERTER, 12V IN, -1KV

HVM Technology, Inc.

HVM Technology, Inc.

HVM Technology, Inc.

UMHVP-1210N

包裝：管件 封裝/外殼：4-DIP 模塊 類別：電源 - 板安裝 直流轉(zhuǎn)換器 描述：HV DC-DC CONVERTER, 12V IN, -1KV

HVM Technology, Inc.

HVM Technology, Inc.

HVM Technology, Inc.

UN1210

SurfaceMount2-ElectrodeGasDischargeTube

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導體深圳市優(yōu)恩半導體有限公司

UN1210

SiliconNPNepitaxialplanertransistor

SiliconNPNepitaxialplanartype Fordigitalcircuits ■Features ?Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts ?Mtypepackageallowingeasyautomaticandmanualinsertionas wellasstand-alonefixingtotheprintedcircuitboard

PanasonicPanasonic Corporation

松下松下電器

UN1210

SiliconNPNepitaxialplanertransistor

SiliconNPNepitaxialplanertransistor Forswitching/digitalcircuits ■Features ●Twoelementsincorporatedintoonepackage. (Transistorswithbuilt-inresistor) ●Reductionofthemountingareaandassemblycostbyonehalf. ■BasicPartNumberofElement ●UNR1210(UN1210)×2elemen

PanasonicPanasonic Corporation

松下松下電器

UN1210

SiliconNPNepitaxialplanartype

SiliconNPNepitaxialplanartype Fordigitalcircuits ■Features ?Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts ?Mtypepackageallowingeasyautomaticandmanualinsertionas wellasstand-alonefixingtotheprintedcircuitboard

PanasonicPanasonic Corporation

松下松下電器

UN1210

SurfaceSingleGasDischargeTube

Features Non-Radioactive ROHScompliant Ultralowcapacitance(

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導體深圳市優(yōu)恩半導體有限公司

UN1210-XXXH

MULTILAYERCHIPVARISTORS

Feature VaristorVoltagefrom12Vto470V Fastresponsetime Lowleakagecurrent Highsurgecurrentability Bidirectionalclamping,highenergy WideOperatingtemperaturerangefrom-55℃-125℃ SuitableforESDprotection

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導體深圳市優(yōu)恩半導體有限公司

UNR1210

SiliconNPNepitaxialplanartype

SiliconNPNepitaxialplanartype Fordigitalcircuits ■Features ?Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts ?Mtypepackageallowingeasyautomaticandmanualinsertionas wellasstand-alonefixingtotheprintedcircuitboard

PanasonicPanasonic Corporation

松下松下電器

UNR1210

SiliconNPNepitaxialplanertransistor

SiliconNPNepitaxialplanertransistor Forswitching/digitalcircuits ■Features ●Twoelementsincorporatedintoonepackage. (Transistorswithbuilt-inresistor) ●Reductionofthemountingareaandassemblycostbyonehalf. ■BasicPartNumberofElement ●UNR1210(UN1210)×2elemen

PanasonicPanasonic Corporation

松下松下電器

URF1210

SwitchmodeFullPlasticDualUltrafastPowerRectifiers

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導體股份有限公司

VB1210

N-Channel20V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?GenIIIPowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBA1210

N-Channel20V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBA1210

N-Channel20V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?PowerMOSFET ?OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?NotebookCPUCore -High-SideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VDA1210CTA

Lowvoltage,Lowpower,?1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector

GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein

ANASEMAnaSem Hong Kong Limited.

安納森半導體安納森半導體香港有限公司

VDA1210NTA

Lowvoltage,Lowpower,?1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector

GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein

ANASEMAnaSem Hong Kong Limited.

安納森半導體安納森半導體香港有限公司

VJ1210

SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorSolutionsforBoardflexSensitiveApplications

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VJ1210

SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorsforCommercialApplications

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VJ1210

SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorsProhibitSurfaceArc-overinHighVoltageApplications

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VJ1210

SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorsProhibitSurfaceArc-overinHighVoltageApplications

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    UMHVP-1210N

  • 制造商：

    HVM Technology, Inc.

  • 類別：

    電源 - 板安裝 > 直流轉(zhuǎn)換器

  • 系列：

    UMHVP

  • 包裝：

    管件

  • 類型：

    高電壓 - 隔離模塊

  • 電壓 - 輸入（最小值）：

    0V

  • 電壓 - 輸入（最大值）：

    12V

  • 電壓 - 輸出 1：

    -1000V

  • 電流 - 輸出（最大值）：

    500μA

  • 應用：

    ITE（商業(yè)）

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 70°C

  • 效率：

    65%

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    4-DIP 模塊

  • 大小 / 尺寸：

    0.50" 長 x 0.50" 寬 x 0.50" 高（12.7mm x 12.7mm x 12.7m

  • 描述：

    HV DC-DC CONVERTER, 12V IN, -1KV

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多UMHVP-1210N供應商 更新時間2024-11-16 11:06:00

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