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UGB8JT-E3/45

High Voltage Ultrafast Rectifier

FEATURES ?Glasspassivatedchipjunction ?Ultrafastrecoverytime ?Softrecoverycharacteristics ?Lowswitchinglosses,highefficiency ?Highforwardsurgecapability ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

UGB8JT-E3/45

High Voltage Ultrafast Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

UGB8JT-E3/45

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

FES8JT-E3/45

UltrafastPlasticRectifier

FEATURES ?Glasspassivatedchipjunction ?Ultrafastrecoverytime ?Lowswitchinglosses,highefficiency ?Lowleakagecurrent ?Highforwardsurgecapability ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220ACand

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

FESB8JT-E3/45

UltrafastPlasticRectifier

FEATURES ?Glasspassivatedchipjunction ?Ultrafastrecoverytime ?Lowswitchinglosses,highefficiency ?Lowleakagecurrent ?Highforwardsurgecapability ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220ACand

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

FESF8JT-E3/45

UltrafastPlasticRectifier

FEATURES ?Glasspassivatedchipjunction ?Ultrafastrecoverytime ?Lowswitchinglosses,highefficiency ?Lowleakagecurrent ?Highforwardsurgecapability ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220ACand

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

UG8JT-E3/45

HighVoltageUltrafastRectifier

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

UG8JT-E3/45

HighVoltageUltrafastRectifier

FEATURES ?Glasspassivatedchipjunction ?Ultrafastrecoverytime ?Softrecoverycharacteristics ?Lowswitchinglosses,highefficiency ?Highforwardsurgecapability ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    UGB8JT-E3/45

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 二極管類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    8A

  • 速度：

    快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-263AB（D2PAK）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -55°C ~ 150°C

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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更多UGB8JT-E3/45供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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