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UG2126TB-E3中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

UG2126TB-E3
廠商型號

UG2126TB-E3

功能描述

GaAs INTEGRATED CIRCUIT

絲印標(biāo)識

G2K

文件大小

223.59 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-19 17:45:00

UG2126TB-E3規(guī)格書詳情

FEATURES

? Supply voltage : VDD1, 2, 3 = 3.1 to 4.4 V (3.6 V TYP.)

? Low operation current : IDD1 = 16 mA TYP. @ VDD1 = 3.6 V, f = 925 MHz, Pout = +8 dBm

: IDD2 = 28 mA TYP. @ VDD2, 3 = 3.6 V, f = 1 441 MHz, Pout = +8 dBm

? High power gain : GP1 = 16 dB TYP. @ VDD1 = 3.6 V, f = 925 MHz, Pin = ?10 dBm

: GP2 = 26 dB TYP. @ VDD2, 3 = 3.6 V, f = 1 441 MHz, Pin = ?22 dBm

? Low distortion : Padj1 = ?60 dBc TYP. @ VDD1, 2, 3 = 3.6 V, f = 925 MHz, 1 441 MHz, Pout = +8 dBm,

Δf = ±50 kHz, 21 kHz Bandwidth.

? High-density surface mounting : 6-pin super minimold package (2.0 × 1.25 × 0.9 mm)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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