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TTC009,F(M_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)-Toshiba Semiconductor and Storage

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原廠料號(hào)：TTC009,F(M品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明：TRANS NPN 80V 3A TO220NIS

TTC009,F(M是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝TO-220-3 整包的TTC009,F(M晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

  • 芯片型號(hào)：

    ttc009,f(m

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    TRANS NPN 80V 3A TO220NIS

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    TTC009,F(M

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 100mA，1A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 500mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    150MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220NIS

  • 描述：

    TRANS NPN 80V 3A TO220NIS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Toshiba Semiconductor and Stor
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TO-220NIS
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