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TSM4N60CI

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

TSM4N60CIC0

600V N-Channel Power MOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSM4N60CIC0

600V N-Channel Power MOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSM4N60CIC0

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

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微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

TSM4N60CIC0G

600V N-Channel Power MOSFET

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臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSM4N60CPRO

PowerMOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

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微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

TSM4N60CPRO

600VN-ChannelPowerMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSM4N60CPRO

600VN-ChannelPowerMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSM4N60CPROG

600VN-ChannelPowerMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSM4N60CZCO

N-Channel650V(D-S)MOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    TSM4N60CI

  • 功能描述：

    MOSFET 800V 4A N Channel Power Mosfet

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
T
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taiwansemi
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十年配單,只做原裝
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更多TSM4N60CI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-1 14:30:00

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