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2N7002

N-ChannelMOSFET

Features ●HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) ●Voltagecontrolledsmallsignalswitch ●Ruggedandreliable ●Highsaturationcurrentcapability Drain-SourcevoltageVDS60V DrainCurrentID115mA PowerDissipationPD225mW

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2N7002

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GENERALFEATURES ●VDS=60V,ID=0.115A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

2N7002

0.3Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2N7002

FIELDEFFECTTRANSISTOR

INTERFACEANDSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). Voltagecontrolledsmallsignalswitch. Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapablity.

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

2N7002

N-channelverticalD-MOStransistor

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?technology. Productavailability:2N7002inSOT23. Features TrenchMOS?technology Veryfastswitching Logiclevelcompatible Subminiaturesurfacemountpackage. Applic

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

2N7002

N-ChannelMOSFET

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF· ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1 ?AdvancedTrenchProcessTechnology ?HighInputImpedance ?HighSpeedSwitching ?CMOSLogicCompatibleInput ?Marking:7002/S72 ··

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

2N7002

N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

DIODES

Diodes Incorporated

2N7002

Plastic-EncapsulatedTransistors

FEATURES Powerdissipation PD:0.35W(Tamb=25℃) Draincurrent ID:250mA Drain-Sourcevoltage VDS:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

2N7002

SmallSignalMOSFETTransistor

SmallSignalMOSFETTransistor FEATURES ●HighDensityCellDesignForLowRDS(ON)。 ●VoltageControlledSmallSwitch. ●RuggedandReliable. ●HighSaturationCurrentCapability. APPLICATIONS ●N-channelenhancementmodeeffecttransistor. ●Switchingapplication.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

2N7002

OptiMOS??Small-Signal-Transistor

OptiMOSSmall-Signal-Transistor Features ?N-channel ?Enhancementmode ?Logiclevel ?Avalancherated ?fastswitching ?Pb-freelead-plating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    TSM2N7002KD

  • 功能描述：

    MOSFET Dual 60V 0.2Amp N channel MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TSM2N7002KD供應商 更新時間2025-4-30 17:16:00

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