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TRS24N65D

SiC Schottky Barrier Diode

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TRS24N65D,S1F

Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

IXFP24N65X

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFP24N65X

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTH24N65

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=24A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=145mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SIHA24N65EF

ESeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHA24N65EF

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SIHA24N65EF

ESeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode

FEATURES ?FastbodydiodeMOSFETusingEseries technology ?Reducedtrr,Qrr,andIRRM ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?LowswitchinglossesduetoreducedQrr ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:for

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHB24N65E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHB24N65E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TOSHIBA
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TOSHIBA/東芝
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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TOSHIBA/東芝
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進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,假一賠十
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更多TRS24N65D供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-11 16:31:00

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