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TPSTD2N105K5

1050V N-Channel MOSFET

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TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

STD2N105K5

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=1.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1050V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=10Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STD2N105K5

N-channel1050V,6廓typ.,1.5AMDmesh??K5PowerMOSFETsinDPAK,TO-220andIPAKpackages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STFW2N105K5

N-channel1050V,6廓typ.,1.5AZener-protectedSuperMESH??5PowerMOSFETinaTO-3PFpackage

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STP2N105K5

N-channel1050V,6廓typ.,1.5AMDmesh??K5PowerMOSFETsinDPAK,TO-220andIPAKpackages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STP2N105K5

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1050V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STU2N105K5

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=1.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1050V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STU2N105K5

N-channel1050V,6廓typ.,1.5AMDmesh??K5PowerMOSFETsinDPAK,TO-220andIPAKpackages

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更多TPSTD2N105K5供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-13 11:06:00

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