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TPS7H6003-SP_V01

TPS7H60x3-SP Radiation-Hardness-Assured 1.3-A, 2.5-A, Half Bridge GaN FET Gate Drivers

1Features ?RadiationPerformance: –Radiation-hardness-assurance(RHA)upto totalionizingdose(TID)of100krad(Si) –Single-eventlatchup(SEL),single-event burnout(SEB),andsingle-eventgaterupture (SEGR)immunetolinearenergytransfer(LET) =75MeV-cm2/mg –Single-eventtran

TI1Texas Instruments(TI)

德州儀器德州儀器 (TI)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TPS7H6003-SP_V01供應(yīng)商 更新時間2024-10-25 17:25:00

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