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TPN2010FNH

MOSFETsSiliconN-channelMOS

Applications ?High-EfficiencyDC-DCConverters ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=2.6nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=168mΩ(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=250V) (

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更多TPMEG2010AEB供應(yīng)商 更新時間2025-1-23 10:06:00

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