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TPH4R606NH中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TPH4R606NH
廠商型號

TPH4R606NH

功能描述

MOSFETs Silicon N-channel MOS

絲印標識

TPH4R606NH

封裝外殼

SOP

文件大小

232.72 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-21 18:25:00

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TPH4R606NH規(guī)格書詳情

Applications

? Switching Voltage Regulators

? Motor Drivers

? DC-DC Converters

Features

(1) Small footprint due to a small and thin package

(2) High-speed switching

(3) Small gate charge: QSW = 19 nC (typ.)

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.8 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(5) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)

(6) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA
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