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TPC8223-H

Power MOSFET (N-ch dual); Drain current (Q1) ID 9 A \nDrain current (Q2) ID 9 A \nPower Dissipation PD 1.5 W \nDrain-Source voltage (Q1) VDSS 30 V \nDrain-Source voltage (Q2) VDSS 30 V \nGate-Source voltage (Q1) VGSS +/-20 V \nGate-Source voltage (Q2) VGSS +/-20 V \n;

Application Scope：Mobile equipments / Notebook PCs\nPolarity：N-ch×2\nGeneration：U-MOSⅦ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中國\n

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPC8223-H

N-Channel 0-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

TPC8223-H

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

TQ8223

DeviceQualification

TriQuint

TriQuint Semiconductor

VSC8223

Multi-rateSONET/SDH,FibreChannel,andGigabitEthernetCDR

GENERALDESCRIPTION TheVSC8222andVSC8223arehighperformance,multi-rateclockanddatarecoveryICsthatsupportSONET/SDHsystemsoperatingatOC-48(STM-16),OC-12(STM-4),OC-3(STM-1),FibreChannel(1.0625Gbpsand2.125Gbps),GigabitEthernet(1.25Gbpsand2.5Gbps),andFECdatarat

VITESSE

Vitesse Semiconductor Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    TPC8223-H

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch Dual 30V 9A 1.5W 1190pF

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

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更多TPC8223-H供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 19:27:00

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