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TN2130K1

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan

SUTEX

Supertex, Inc

TN2130K1-G

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

GeneralDescription Thislowthreshold,enhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-proven,silicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehighinputi

SUTEX

Supertex, Inc

TN2130K1-G

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

GeneralDescription TheTN2130low-threshold,Enhancement-mode (normally-off)transistorusesaverticalDMOSstructure andawell-provensilicon-gatemanufacturingprocess. Thiscombinationproducesadevicewiththepower handlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehigh inputimpe

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

TN2130K1-GVAO

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

GeneralDescription TheTN2130low-threshold,Enhancement-mode (normally-off)transistorusesaverticalDMOSstructure andawell-provensilicon-gatemanufacturingprocess. Thiscombinationproducesadevicewiththepower handlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehigh inputimpe

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

TN2130K1G

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    TN2130K1

  • 功能描述：

    MOSFET 300V 25Ohm

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Supertex
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SOT-23
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更多TN2130K1供應商 更新時間2025-1-17 15:32:00

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