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FS5502

HighvoltagePMICwithmultipleSMPSandLDO

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

HC-5502B

EIA/ITUPABXSLICwith30mALoopFeed

TheIntersilSLICincorporatesmanyoftheBORSHTfunctionsonasingleICchip.ThisincludesDCbatteryfeed,aringrelaydriver,supervisoryandhybridfunctions.Thisdeviceisdesignedtomaintaintransmissionperformanceinthepresenceofexternallyinducedlongitudinalcurrents.Usingthe

Intersil

Intersil Corporation

HC-5502B

EIA/ITUPABXSLICwith30mALoopFeed

Intersil

Intersil Corporation

HC-5502B

EIA/ITUPABXSLICwith30mALoopFeed

Features ?Capableof12Vor5V(VB+)Operation ?MonolithicIntegratedDevice ?DIHighVoltageProcess ?CompatibleWithWorldwidePBXPerformance Requirements ?ControlledSupplyofBatteryFeedCurrentforShortLoops (30mA) ?InternalRingRelayDriver ?LowPowerConsumptionDuring

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

KSC5502

NPNPlanarSiliconTransistor

HighVoltagePowerSwitchModeApplication ?SmallVarianceinStorageTime ?WideSafeOperatingArea ?SuitableforElectronicBallastApplication

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

KSC5502D

NPNTripleDiffusedPlanarSiliconTransistor

Features ?HighVoltagePowerSwitchSwitchingApplication ?WideSafeOperatingArea ?Built-inFree-WheelingDiode ?SuitableforElectronicBallastApplication ?SmallVarianceinStorageTime ?TwoPackageChoices:D-PAKorTO-220

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

KSC5502D

HighVoltagePowerSwitchSwitchingApplication

Features ?HighVoltagePowerSwitchSwitchingApplication ?WideSafeOperatingArea ?Built-inFree-WheelingDiode ?SuitableforElectronicBallastApplication ?SmallVarianceinStorageTime ?TwoPackageChoices:D-PAKorTO-220

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

KSC5502D

HighVoltagePowerSwitchSwitchingApplication

Features ?HighVoltagePowerSwitchSwitchingApplication ?WideSafeOperatingArea ?Built-inFree-WheelingDiode ?SuitableforElectronicBallastApplication ?SmallVarianceinStorageTime ?TwoPackageChoices:D-PAKorTO-220

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

KSC5502D

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=1200V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.6V(Max)@IC=0.4A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

KSC5502DT

NPNTripleDiffusedPlanarSiliconTransistor

Features ?HighVoltagePowerSwitchSwitchingApplication ?WideSafeOperatingArea ?Built-inFree-WheelingDiode ?SuitableforElectronicBallastApplication ?SmallVarianceinStorageTime ?TwoPackageChoices:D-PAKorTO-220

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    TMDX5502EZDSP

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 類別：

    開發(fā)板，套件，編程器 > 評估板 - 嵌入式 - MCU，DSP

  • 系列：

    C5000?

  • 包裝：

    散裝

  • 板類型：

    評估平臺

  • 類型：

    DSP

  • 核心處理器：

    C55x

  • 平臺：

    eZdsp?

  • 使用的 IC/零件：

    TMS320VC5502

  • 安裝類型：

    固定

  • 內(nèi)含物：

    板

  • 描述：

    EZDSP TMS320VC5502 EVAL BRD

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TI/德州儀器
21+
COMBO
63880
本公司只售原裝 支持實(shí)單
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更多TMDX5502EZDSP供應(yīng)商 更新時間2025-4-25 10:08:00

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