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首頁(yè) >TLE8104EXT>規(guī)格書(shū)列表
零件編號(hào) | 下載 訂購(gòu) | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
---|---|---|---|---|
TLE8104EXT | Package:20-SOIC(0.295",7.50mm 寬);包裝:卷帶(TR) 類(lèi)別:集成電路(IC) 配電開(kāi)關(guān),負(fù)載驅(qū)動(dòng)器 描述:IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20 | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | |
P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司 | VBSEMI | ||
TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(HighSpeedU-MOSII) HighSpeedandHighEfficiencyDC?DCConverters LithiumIonBatteryApplications NotebookPCs PortableEquipmentApplications ?Smallfootprintduetosmallandthinpackage ?Highspeedswitching ?Smallgatecharge:Qg=17nC(typ.) ?Lowdrain?sourceONresistance:RDS(ON)=38m?(t | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
High-SideSwitchingApplications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
Lithium-IonSecondaryBatteriesPowerManagementSwitches | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
TOSHIBAFIELDEFFECTTRANSISTORSILICONPCHANNELMOSTYPE(U-MOS4) NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=21m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=9.6S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=?10μA(max)(VDS=?30V) ?Enhancementmode:Vth=?0.8to?2.0V(VDS=?10V,ID=?1mA | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOS?? | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
LithiumIonBatteryApplicationsNotebookPCApplicationsPortableEquipmentApplications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
TLE8104EXT
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類(lèi)別:
集成電路(IC) > 配電開(kāi)關(guān),負(fù)載驅(qū)動(dòng)器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 開(kāi)關(guān)類(lèi)型:
通用
- 輸出數(shù):
4
- 比率 - 輸入:
1:1
- 輸出配置:
低端
- 輸出類(lèi)型:
N 通道
- 接口:
SPI
- 電壓 - 負(fù)載:
4.5V ~ 5.5V
- 電流 - 輸出(最大值):
1A
- 導(dǎo)通電阻(典型值):
320 毫歐
- 故障保護(hù):
開(kāi)路負(fù)載檢測(cè),超溫,過(guò)壓
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-DSO-20
- 封裝/外殼:
20-SOIC(0.295",7.50mm 寬)
- 描述:
IC PWR SWITCH N-CHAN 1
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
PG-DSO-20 |
25717 |
英飛凌電源管理芯片-原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | ||
英飛凌 |
22+ |
NA |
500000 |
萬(wàn)三科技,秉承原裝,購(gòu)芯無(wú)憂(yōu) |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
PG-DSO-20 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢(xún)價(jià) | |||
Infineon Technologies |
23+/24+ |
20-SOIC |
8600 |
只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon Technologies |
25+ |
PG-DSO-20 |
9350 |
獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
原廠授權(quán)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源! |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon |
1708+ |
? |
7500 |
只做原裝進(jìn)口,假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
19+ |
68000 |
原裝正品價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢(xún)價(jià) |
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