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TK12E60W

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

TK12E60W

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS??

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK12E60U

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

TK12E60U

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

TK12E60U

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS(DTMOS??

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細參數(shù)

  • 型號：

    TK12E60W

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TK12E60W供應商 更新時間2025-3-1 16:10:00

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