TIPL760C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
TIPL760C |
| 參數(shù)屬性 | TIPL760C 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN DARL 550V 4A TO220 |
| 功能描述 | isc Silicon NPN Power Transistor |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
367 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
| 中文名稱 | 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-22 23:00:00 |
TIPL760C規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
? Rugged Triple-duffused planar construction
FEATURES
? Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = 550V(Min.)
? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
TIPL760C-S
- 制造商：
Bourns Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
1V @ 400μA，2A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
50μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 500mA，5V
- 頻率 - 躍遷：
12MHz
- 工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220
- 描述：
TRANS NPN DARL 550V 4A TO220
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
BOURNS/伯恩斯 |
23+ |
NA/ |
8232 |
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TIX |
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Bourns Inc. |
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BOURNSINC |
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BOURNSINC |
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TO-220 |
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BOURNSINC |
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BOURNS/伯恩斯 |
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BOURNS/伯恩斯 |
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