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TIM7785-60SL

MICROWAVE POWER GaAs FET

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TIM7785-60SL_08

IM3=-45 dBc at Pout= 36.5dBm Single Carrier Level

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TGI7785-60LHA

MICROWAVEPOWERGaNHEMT

FEATURES ?BROADBANDINTERNALLYMATCHEDHEMT ?HIGHPOWER Pout=48.0dBmatPin=41dBm ?HIGHGAIN GL=11.5dBatPin=20dBm ?LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-25dBc(Min.)atPout=29dBm(SingleCarrierLevel) ?HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TIM7785-60ULA

MICROWAVEPOWERGaAsFET

FEATURES ?BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ?HIGHPOWER P1dB=48.0dBmat7.7GHzto8.5GHz ?HIGHGAIN G1dB=7.5dBat7.7GHzto8.5GHz ?LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3(MIN.)=-25dBcatPout=41dBm(SingleCarrierLevel) ?HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細參數(shù)

  • 型號:

    TIM7785-60SL

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    MICROWAVE POWER GaAs FET

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更多TIM7785-60SL供應商 更新時間2025-1-24 16:30:00