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TH58NVG3S0HBAI6

MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

KIOXIAKIOXIA Corporation

鎧俠鎧俠株式會(huì)社

TH58NVG3S0HBAI6

Flash Memory

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TH58NVG3S0HBAI6

SLC NAND & BENAND Reliability and Performance

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TH58NVG3S0HBAI6

Package:67-VFBGA;包裝:卷帶(TR) 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 67VFBGA

Kioxia America, Inc.

Kioxia America, Inc.

Kioxia America, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    TH58NVG3S0HBAI6

  • 制造商:

    Kioxia America, Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NAND(SLC)

  • 存儲(chǔ)容量:

    8Gb(1G x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    25ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    67-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    67-VFBGA(6.5x8)

  • 描述:

    IC FLASH 8GBIT PARALLEL 67VFBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多TH58NVG3S0HBAI6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-24 14:36:00