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TH58NVG3S0HBAI4集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

TH58NVG3S0HBAI4
廠商型號(hào)

TH58NVG3S0HBAI4

參數(shù)屬性

TH58NVG3S0HBAI4 封裝/外殼為63-VFBGA;包裝為散裝托盤(pán);類(lèi)別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA

功能描述

SLC NAND & BENAND Reliability and Performance

封裝外殼

63-VFBGA

文件大小

868 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

TOSHIBA東芝

中文名稱(chēng)

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-26 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    TH58NVG3S0HBAI4

  • 制造商:

    Kioxia America, Inc.

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    散裝托盤(pán)

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NAND(SLC)

  • 存儲(chǔ)容量:

    8Gb(1G x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    25ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    63-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    63-TFBGA(9x11)

  • 描述:

    IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NA
23+
NA/
3270
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