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TGF1350中文資料TriQuint數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

TGF1350
廠商型號(hào)

TGF1350

功能描述

Discrete MESFET

文件大小

467.76 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 TriQuint Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TriQuint

中文名稱

TriQuint Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-7 16:09:00

TGF1350規(guī)格書詳情

Description

The TriQuint TGF1350-SCC is a single-gate GaAs field-effect transistor (FET) used for low-noise applications DC to 18 GHz. Bond pad is gold plated for compatibility with thermocompression and thermosonic compatibility wire-bonding processes. The TGF1350-SCC is readily assembled using automated equipment. Die attach should be accomplished with conductive epoxy only. Eutectic attach is not recommended .

Key Features and Performance

? 0.5 um x 300 um FET

? 1.5 dB Noise Figure with 11dB Associated Gain at 10 GHz

? 2.5 dB Noise Figure with 7 dB Associated Gain at 18 GHz

? All-gold Metallization for High Reliability

? Recessed Gate Structure

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    TGF1350

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 DC-18.0GHz 0.3mm MESFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數(shù):

    正向跨導(dǎo)

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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