TF412分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
TF412 |
| 參數(shù)屬性 | TF412 封裝/外殼為3-XFDFN；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET；產(chǎn)品描述：JFET N-CH 30V 10MA SOT883 |
| 功能描述 | N-Channel JFT 30V, 1.2 to 3.0mA, 5.0mS, SOT-883 |
| 文件大小 |
296.56 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
3 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-6 20:00:00 |
TF412規(guī)格書詳情
TF412屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的TF412晶體管 - JFET結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (JFET) 是用作電子控制開關(guān)、放大器或電壓控制電阻器的器件。在柵極端子與源極端子之間施加適當(dāng)極性的電勢(shì)差就會(huì)增加電流流動(dòng)的阻力，這意味著源極端子與漏極端子之間通道中流動(dòng)的電流會(huì)更少。由于電荷流過源極與漏極端子之間的半導(dǎo)體通道，因此 JFET 不需要偏置電流。
Features
? Small IGSS : max ?1.0nA (VGS= ?20V, VDS=0V)
? Small Ciss : typ 4pF (VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz)
? Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products
? Halogen free compliance
Applications
? Low-Frequency general-purpose amplifier,
impedance conversion, infrared sensor applications
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
TF412ST5G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- FET 類型：
N 通道
- 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：
4pF @ 10V
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
3-XFDFN
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-883（XDFN3）（1x0.6）
- 描述：
JFET N-CH 30V 10MA SOT883
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
NA/ |
8735 |
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詢價(jià) | ||
ON |
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NA |
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詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
SOT-883 |
25000 |
ON全系列可訂貨 |
詢價(jià) | ||
AO/萬代 |
22+ |
TO-220F |
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QFP |
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ON/安森美 |
2223+ |
SOT-883 |
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ON(安森美) |
23+ |
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