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TF262TH-4-TL-H_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-JFET-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號：TF262TH-4-TL-H品牌：onsemi

資料說明：JFET N-CH 1MA 100MW

TF262TH-4-TL-H是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝3-SMD，扁平引線的TF262TH-4-TL-H晶體管 - JFET結(jié)柵場效應(yīng)晶體管 (JFET) 是用作電子控制開關(guān)、放大器或電壓控制電阻器的器件。在柵極端子與源極端子之間施加適當(dāng)極性的電勢差就會增加電流流動的阻力，這意味著源極端子與漏極端子之間通道中流動的電流會更少。由于電荷流過源極與漏極端子之間的半導(dǎo)體通道，因此 JFET 不需要偏置電流。

  • 芯片型號：

    tf262th-4-tl-h

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明：

    JFET N-CH 1MA 100MW

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    TF262TH-4-TL-H

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET

  • 包裝：

    管件

  • FET 類型：

    N 通道

  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：

    3.5pF @ 2V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    VTFP

  • 描述：

    JFET N-CH 1MA 100MW

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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