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TC58BYG0S3HBAI6 集成電路(IC)存儲(chǔ)器 TOSHIBA/東芝
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
TC58BYG0S3HBAI6
- 制造商:
Kioxia America, Inc.
- 類別:
- 系列:
Benand?
- 包裝:
托盤
- 存儲(chǔ)器類型:
非易失
- 存儲(chǔ)器格式:
閃存
- 技術(shù):
FLASH - NAND(SLC)
- 存儲(chǔ)容量:
1Gb(128M x 8)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁:
25ns
- 電壓 - 供電:
1.7V ~ 1.95V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
67-VFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
67-VFBGA(6.5x8)
- 描述:
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳南芯電子技術(shù)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李經(jīng)理
- 手機(jī):
13510475875
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-83946661-802
- 傳真:
0755-23915176
- 地址:
深圳市龍崗區(qū)寶龍街道寶龍社區(qū)寶荷大道76號(hào)智慧家園B座1904
相近型號(hào)
- TC58BVG2S0HTAI0
- TC58C1287AXB
- TC58BVG2S0HTA00
- TC58C1287AXB(YDELA)
- TC58BVG2S0HBAI6
- TC58C128AFTI
- TC58BVG2S0HBAI4
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