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TAN350

high power COMMON BASE bipolar transistor.

GENERALDESCRIPTION TheTAN350isahighpowerCOMMONBASEbipolartransistor.Itisdesignedforpulsedsystemsinthefrequencyband960-1215MHz.Thedevicehasgoldthin-filmmetallizationanddiffusedballastingforprovenhighestMTTF.Thetransistorincludesinputandoutputprematchfor

ADPOW

Advanced Power Technology

TAN350

350 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 960 - 1215 MHz

[GHz-Technology] GENERALDESCRIPTION TheTAN350isahighpowerCOMMONBASEbipolartransistor.Itisdesignedforpulsedsystemsinthefrequencyband960-1215MHz.Thedevicehasgoldthin-filmmetallizationanddiffusedballastingforprovenhighestMTTF.Thetransistorincludesinput

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

TAN350

Package：55ST；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55ST

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

TC-350

LowProfileTCXOsTemperatureCompensatedCrystalOscillators

Vectron

Vectron International, Inc

TC--350

RFPowerLDMOSTransistorsHighRuggednessN--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

TCF350

ULClassCFbranchcircuittime-delayCUBEFuse

EATONEaton All Rights Reserved.

伊頓伊頓公司

TCF350RN

ULClassCFbranchcircuittime-delayCUBEFuse

EATONEaton All Rights Reserved.

伊頓伊頓公司

TD350

AdvancedIGBT/MOSFETdriver

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

TD350

AdvancedIGBT/MOSFETDriver

Description TD350isanadvancedgatedriverforIGBTandpowerMOSFET.Controlandprotectionfunctionsareincludedandallowthedesignofhighreliabilitysystems. InnovativeactiveMillerclampfunctionavoidstheneedofnegativegatedriveinmostapplicationsandallowstheuseofa

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

TD350A

TopstekCurrentTransducers

Features HighlyreliableHallEffectdevice Compactandlightweight Fastresponsetime Excellentlinearityoftheoutputvoltageoverawideinputrange Excellentfrequencyresponse(>50kHz) Lowpowerconsumption(12mAnominal) CapableofmeasuringbothDCandAC,bothpul

TOPSTEK

Topstek Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    TAN350

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    65V

  • 頻率 - 躍遷：

    960MHz ~ 1.215GHz

  • 增益：

    7dB ~ 7.5dB

  • 功率 - 最大值：

    1450W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    10 @ 1A，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    40A

  • 工作溫度：

    230°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    55ST

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    55ST

  • 描述：

    RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55ST

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MICROSEMI/美高森美
24+
120
現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價
MICROSEMI/美高森美
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TO-59
8510
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55ST
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ST
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Microsemi Corporation
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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ST
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Microsemi Corporation
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SOP20W
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更多TAN350供應(yīng)商 更新時間2025-3-1 16:34:00

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