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SWD065R68E7T

Marking：SW065R68E7T；Package：TO-252；N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET

Features ?Highruggedness ?LowRDS(ON)(Typ6.3mΩ)@VGS=10V ?LowGateCharge(Typ75nC) ?Improveddv/dtCapability ?100AvalancheTested ?Application:SynchronousRectification,LiBatteryProtectBoard,Inverter GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedtechnol

SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.

芯派科技芯派科技股份有限公司

SW065R68E7T

N-channelEnhancedmodeTO-252MOSFET

Features ?Highruggedness ?LowRDS(ON)(Typ6.3mΩ)@VGS=10V ?LowGateCharge(Typ75nC) ?Improveddv/dtCapability ?100AvalancheTested ?Application:SynchronousRectification,LiBatteryProtectBoard,Inverter GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedtechnol

SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.

芯派科技芯派科技股份有限公司

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更多SWD065R68E7T供應(yīng)商 更新時間2025-1-27 8:00:00

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