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SW70N08V	文件：636.44 Kbytes Page：6 Pages	N-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
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BR70N08	文件：1.25143 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
BRD70N08	文件：898.41 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-252PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
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EMB70N08CS	文件：229.68 Kbytes Page：5 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS80V RDSON(MAX.)65mΩ ID15A UIS,100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
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EMB70N08V	文件：194.03 Kbytes Page：5 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
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FQAF70N08	文件：662.69 Kbytes Page：8 Pages	80VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQAF70N08	文件：329.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=53.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.017Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQB70N08	文件：244.95 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQB70N08	文件：678.18 Kbytes Page：9 Pages	FQB70N08/FQI70N0880VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
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