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SVF4N90MJ中文資料士蘭微數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SVF4N90MJ
廠商型號

SVF4N90MJ

功能描述

4A, 900V N-CHANNEL MOSFET

絲印標識

SVF4N90

封裝外殼

TO-251J-3L

文件大小

294.65 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產廠商 Silan Microelectronics Joint-stock
企業(yè)簡稱

SILAN士蘭微

中文名稱

杭州士蘭微電子股份有限公司官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-21 23:00:00

SVF4N90MJ規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

SVF4N90F/MJ/T/D is an N-channel enhancement mode power

MOS field effect transistor which is produced using Silan

proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The

improved process and cell structure have been especially tailored

to minimize on-state resistance, provide superior switching

performance, and withstand high energy pulse in the avalanche

and commutation mode.

These devices are widely used in AC-DC power supplies, DC-DC

converters and H-bridge PWM motor drivers.

FEATURES

? 4A,900V,RDS(on)(typ.)=2.7?@VGS=10V

? Low gate charge

? Low Crss

? Fast switching

? Improved dv/dt capability

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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