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SUD09P10-195

P-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PowerSwitch ?DC/DCConverters

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SUD09P10-195

P-Channel 100 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SUD09P10-195

Isc P-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SUD09P10-195_V01

P-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PowerSwitch ?DC/DCConverters

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SUD09P10-195-GE3

P-Channel 100 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SUD09P10-195

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 100V DPAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    TrenchFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
Vishay(威世)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
10048
原廠直銷,大量現(xiàn)貨庫存,交期快。價(jià)格優(yōu),支持賬期
 詢價(jià)
Vishay(威世)
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二十余載金牌老企 研究所優(yōu)秀合供單位 您的原廠窗口
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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更多SUD09P10-195供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-8 13:44:00

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