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SUB60N06-18

N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET

N-Channel60-V(D-S),175°CMOSFET 175°CRatedMaximumJunctionTemperature TrenchFET?PowerMOSFETs ProductSummary ??V(BR)DSS??60V ??rDS(on)???0.018Ω ??ID????????60A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SUB60N06-18

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=18mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SUB60N06-18

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

60N06-18

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SUP60N06-18

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=18mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SUP60N06-18

N-Channel60-V(D-S),175CMOSFET

N-Channel60-V(D-S),175°CMOSFET 175°CRatedMaximumJunctionTemperature TrenchFET?PowerMOSFETs ProductSummary ??V(BR)DSS??60V ??rDS(on)???0.018Ω ??ID????????60A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SUB60N06-18

  • 功能描述：

    MOSFET 60V 60A 120W

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
SIL
SOT263
30216
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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只做原廠渠道 可追溯貨源
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免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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更多SUB60N06-18供應(yīng)商 更新時間2025-1-14 14:00:00

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