STW9NC80Z中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
STW9NC80Z |
| 功能描述 | N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 9.4A TO-247 Zener-Protected PowerMESH??II MOSFET |
| 文件大小 |
248.01 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-28 9:20:00 |
STW9NC80Z規(guī)格書詳情
The third generation of MESH OVERLAY Power MOSFETs for very high voltage exhibits unsurpassed on-resistance per unit area while integrating back-to-back Zener diodes between gate and source. Such arrangement gives extra ESD capability with higher ruggedness performance as requested by a large variety of single-switch applications.
TYPICAL RDS(on) = 0.82?
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
GATE-TO-SOURCE ZENER DIODES
100 AVALANCHE TESTED
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
GATE CHARGE MINIMIZED
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
STW9NC80Z
- 功能描述：
MOSFET TO-247
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
22 |
TO3P |
25000 |
3月31原裝,微信報(bào)價(jià) |
詢價(jià) | ||
ST |
02+ |
TO3P |
540 |
現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
2022 |
TO247 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
22+ |
TO-247 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
ST |
21+ |
TO3P |
9866 |
詢價(jià) | |||
ST |
23+ |
TO-247 |
8795 |
詢價(jià) | |||
24+ |
ST(3PLF) |
6430 |
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢 |
詢價(jià) | |||
ST/意法 |
22+ |
TO-247 |
97160 |
詢價(jià) | |||
ST |
24+ |
TO-247 |
16800 |
絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!? |
詢價(jià) | ||
ST |
21+ |
TO3P |
728 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) |
