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STW28N65M2

isc N-Channel Mosfet Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingpower

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STW28N65M2

Extremely low gate charge

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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Extremelylowgatecharge

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多STW28N65M2供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-29 16:12:00

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