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STW12NM60N

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.41Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STW12NM60N

N-channel 600V - 0.35廓 - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh??Power MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

P12NM60N

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

STB12NM60N

N-channel600V-0.35廓-10A-D2/I2PAK-TO-220/FP-TO-247SecondgenerationMDmesh??PowerMOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STB12NM60N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.41Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STF12NM60N

N-channel600V-0.35廓-10A-D2/I2PAK-TO-220/FP-TO-247SecondgenerationMDmesh??PowerMOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STF12NM60N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.41Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STP12NM60N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.41Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STP12NM60N

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

STP12NM60N

N-channel600V-0.35廓-10A-D2/I2PAK-TO-220/FP-TO-247SecondgenerationMDmesh??PowerMOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    STW12NM60N

  • 功能描述：

    MOSFET Ultra Fast Recovery Diode

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST
24+
TO-247-3
600
詢價
STMicro.
23+
TO-247
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
ST
24+
TO-247-3
600
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
ST(意法)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
 詢價
ST/意法
23+
TO-247
10000
公司只做原裝正品
 詢價
22+
NA
3000
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,
 詢價
ST
23+
TO-247
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
ST
22+
TO2473
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
ST/意法
22+
N
30000
十七年VIP會員,誠信經(jīng)營，一手貨源，原裝正品可零售！
 詢價
STMicroelectronics
2022+
TO-247-3
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價
更多STW12NM60N供應(yīng)商 更新時間2025-1-16 15:30:00

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