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STU3LN80K5中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

STU3LN80K5
廠商型號(hào)

STU3LN80K5

功能描述

N-channel 800 V, 2.75 Ω typ., 2 A MDmesh? K5 Power MOSFET in TO-220 and IPAK packages

絲印標(biāo)識(shí)

3LN80K5

封裝外殼

IPAK

文件大小

804.67 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-21 13:03:00

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STU3LN80K5規(guī)格書(shū)詳情

Features

? Industry’s lowest RDS(on) x area

? Industry’s best FoM (figure of merit)

? Ultra-low gate charge

? 100 avalanche tested

? Zener-protected

Applications

? Switching applications

Description

These very high voltage N-channel Power

MOSFET are designed using MDmesh? K5

technology based on an innovative proprietary

vertical structure. The result is a dramatic

reduction in on-resistance and ultra-low gate

charge for applications requiring superior power

density and high efficiency.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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