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STQ1HN60K3-AP

Gate charge minimized

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

1HN60K3

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

STD1HN60K3

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

STD1HN60K3

N-channel600V,6.7廓typ.,1.2ASuperMESH3??PowerMOSFETinDPAKandIPAKpackages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STU1HN60K3

N-channel600V,6.7廓typ.,1.2ASuperMESH3??PowerMOSFETinDPAKandIPAKpackages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

詳細參數(shù)

  • 型號：

    STQ1HN60K3-AP

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 600V 6.4 Ohm 1.2A SuperMESH3 FET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    600 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    30 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    0.4 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    6.7 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    TO-92

  • 封裝：

    Ammo

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STQ1HN60K3-AP供應商 更新時間2025-1-30 15:00:00

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