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STR30100CB	文件：327.29 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountLowVFSchottkyBarrierRectifier Features ?Lowpowerloss,highefficiency ?Highsurgecurrentcapability ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ?GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
STR30100CT	文件：310.25 Kbytes Page：5 Pages	LowVFSchottkyBarrierRectifier Features ?Lowpowerloss,highefficiency ?Highsurgecurrentcapability ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ?GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
STR30100FCT	文件：403.74 Kbytes Page：5 Pages	LowVFSchottkyBarrierRectifier Features ?Lowpowerloss,highefficiency ?Highsurgecurrentcapability ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ?GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
SUR30100	文件：144.61 Kbytes Page：3 Pages	UltraFastRecoveryEpitaxialDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司	SIRECTIFIER
SUR30100	文件：150.04 Kbytes Page：3 Pages	SoftRecoveryBehaviourUltraFastRecoveryEpitaxialDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司	SIRECTIFIER
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TMBRF30100CT	文件：337.83 Kbytes Page：2 Pages	DualSchottkyBarrierRectifiersReverseVoltage100Volts,ForwardCurrent30A ReverseVoltage100Volts,ForwardCurrent30A FEATURES ●AverageOutputRectifiedCurrent :IO=30A. ●RepetitivePeakReverseVoltage :VRRM=100V. ●LowForwardVoltage. ●LowReverseCurrent. APPLICATIONS ●Converter&Chopper ●SwitchingModePowerSupply	FS First Silicon Co., Ltd	FS
V30100C	文件：140.91 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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V30100C	文件：167.4 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.455VatIF=5A UltraLowVF=0.455VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30100CI	文件：136.73 Kbytes Page：5 Pages	DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICA	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30100CI	文件：136.09 Kbytes Page：5 Pages	DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30100P	文件：96 Kbytes Page：4 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.57VatIF=8A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?Solderdip260°C,40s ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC TYPIC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30100PW	文件：77.36 Kbytes Page：4 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30100PW	文件：83.58 Kbytes Page：4 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.58VatIF=8A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30100S	文件：168.56 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.39VatIF=5A UltraLowVF=0.39VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathte	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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V30100S	文件：149.88 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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更多STPS30100ST-CUTTAPE供應(yīng)商更新時間2024-10-28 16:09:00

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