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STP26N60M2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

STP26N60M2
廠商型號

STP26N60M2
參數(shù)屬性

STP26N60M2 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
功能描述

N-channel 600 V, 0.14 Ω typ., 20 A MDmeshTM M2 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

804.83 Kbytes
頁面數(shù)量

16 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-22 23:00:00

STP26N60M2規(guī)格書詳情

STP26N60M2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STP26N60M2晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

Features

? Extremely low gate charge

? Excellent output capacitance (COSS) profile

? 100 avalanche tested

? Zener-protected

Description

These devices are N-channel Power MOSFETs

developed using MDmesh? M2 technology.

Thanks to their strip layout and improved vertical

structure, these devices exhibit low on-resistance

and optimized switching characteristics,

rendering them suitable for the most demanding

high efficiency converters.

Applications

? Switching applications

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    STP26N60M2

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 系列：

    MDmesh? M2

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術(shù)：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    20A（Tc）

  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：

    10V

  • 功率耗散（最大值）：

    169W（Tc）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 描述：

    MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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