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25N06	文件：735.18 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelPowerMosfet GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowermosfetsused advancedtrenchtechnologydesign,providedexcellentRdson andlowgatecharge.WhichaccordswiththeRoHSstandard. Features VDS=60V,ID=25A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),30mΩ(Typ)@VGS=4.5V FastSwit	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
25N06	文件：186.89 Kbytes Page：6 Pages	25A,60VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
25N06	文件：65.59 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching ?FEATURES ?DrainCurrentID=25A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.065Ω(Max) ?FastSwitching ?APPLICATIONS ?Switchingregulators ?Switchingconverters,motordrivers,relaydrivers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
25N06	文件：179.72 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC25N06isanN-channelenhancementmodepowerMOSFET,whichprovideslowgatecharge,avalancheruggedtechnology,andsoon. TheUTC25N06isuniversallyappliedinDC-DC&DC-ACconverters,motorcontrol,highcurrent,highspeedswitching,solenoidandrelaydrivers,re	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
25N06	文件：780.34 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelPowerMosfet Features VDS=60V,ID=25A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),30mΩ(Typ)@VGS=4.5V FastSwitching LowONResistance(Rdson≤29mΩ) LowGateCharge LowReversetransfercapacitances 100SinglePulseavalancheenergyTest	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
EMB25N06A	文件：230.94 Kbytes Page：6 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
HM25N06Q	文件：681.37 Kbytes Page：6 Pages	Powerswitchingapplication	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
ME25N06	文件：898.45 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTP25N06	文件：301.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=80mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDT25N06	文件：1.24986 Mbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
PJD25N06A	文件：396.79 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@15A	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
PJD25N06A	文件：416.34 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
PJD25N06A-AU	文件：402.17 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@15A	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
RFM25N06	文件：235.65 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFIELDEFFECTTRANSISTORS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
RFP25N06	文件：1.31323 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
RFP25N06	文件：235.65 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFIELDEFFECTTRANSISTORS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
RFP25N06	文件：106.53 Kbytes Page：8 Pages	25A,60V,0.047Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingreg	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFP25N06	文件：419.73 Kbytes Page：8 Pages	25A,60V,0.047Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingreg	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SDD25N06	文件：75.58 Kbytes Page：1 Pages	DiscreteDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司	SIRECTIFIER
SMP25N06	文件：295.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.06Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限公司	STP25N06,25N06	ST		TO-220	36900	集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)	詢價(jià)
深圳市外芯人半導(dǎo)體有限公司	STP25N06,25N06	ST	24+	TO-220	200000	原裝進(jìn)口正口,支持樣品	詢價(jià)
中科國際電子(深圳)有限公司	STP25N06,STP25N06FI	ST	22+	NA	66900	原廠原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市賽特興科技有限公司	STP25N0625N06	ST	23+	TO-220	16900	正規(guī)渠道,只有原裝!	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	STP25N0625N06	ST	22+	TO-220	16900	支持樣品原裝現(xiàn)貨提供技術(shù)支持!	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	STP25N06FI	ST	24+	N/A	2500		詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	STP25N06FI	ST	23+	TO-220F	8795		詢價(jià)
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	STP25N06FI	ST	24+	TO-220F	15000	原裝現(xiàn)貨熱賣	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	STP25N06FI	ST	23+	TO-220F	15000	專做原裝正品,假一罰百!	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	STP25N06FI	ST全系列	22+23+	TO-220F	26387	絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多STP25N06,25N06供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-17 15:58:00

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