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STL285N4F7AG

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/285n4f7/marking.html">285N4F7；Package：PowerFLAT；Automotive-grade N-channel 40 V, 0.9 mΩ typ., 120 A STripFET? F7 Power MOSFET in a PowerFLAT? 5x6 package

Features ?DesignedforautomotiveapplicationsandAEC-Q101qualified ?AmongthelowestRDS(on)onthemarket ?ExcellentFoM(figureofmerit) ?LowCrss/CissratioforEMIimmunity ?Highavalancheruggedness ?Wettableflankpackage Applications ?Switchingapplications Descripti

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STL285N4F7AG

汽車級N溝道40 V、1.05 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝; ? Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified \n? Among the lowest RDS(on) on the market \n? Excellent FoM (figure of merit) \n? Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity \n? High avalanche ruggedness \n? Wettable flank package;

This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET? F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STL50DN6F7

STM
DFN5X6

STMSin Sheng Terminal & Machine Inc

信盛信盛精工股份有限公司

相關(guān)企業(yè)：深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司

STL50DN6F7

ST
DFN5X6

ST

相關(guān)企業(yè)：深圳誠思涵科技有限公司

ST

STL50DN6F7

STM
DFN5X6

STMSin Sheng Terminal & Machine Inc

信盛信盛精工股份有限公司

相關(guān)企業(yè)：深圳市遠(yuǎn)進(jìn)半導(dǎo)體有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    PowerFLAT 5x6 WF

  • Grade：

    Automotive

  • VDSS(V)：

    40

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.0011

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    120

  • PTOT_max(W)：

    188

  • Qg_typ(nC)：

    67

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更多STL285N4F7AG供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 14:03:00

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