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STL260N3LLH6中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STL260N3LLH6
廠商型號

STL260N3LLH6

功能描述

Very low gate charge

文件大小

947.74 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-7-30 23:00:00

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STL260N3LLH6規(guī)格書詳情

Description

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET? H6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

Features

? Very low on-resistance RDS(on)

? Very low gate charge

? High avalanche ruggedness

Applications

? Switching applications

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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