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STL16N60M6分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

STL16N60M6
廠商型號

STL16N60M6

參數(shù)屬性

STL16N60M6 封裝/外殼為8-PowerVDFN;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV

功能描述

N-channel 600 V, 0.30 typ., 8 A MDmesh? M6 Power MOSFET in a PowerFLAT? 5x6 HV package
MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV

封裝外殼

8-PowerVDFN

文件大小

887.55 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-7 13:02:00

STL16N60M6規(guī)格書詳情

STL16N60M6屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STL16N60M6晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

Features

? Reduced switching losses

? Lower RDS(on) x area vs previous generation

? Low gate input resistance

? 100 avalanche tested

? Zener-protected

Description

The new MDmesh? M6 technology incorporates

the most recent advancements to the well-known

and consolidated MDmesh family of SJ

MOSFETs. STMicroelectronics builds on the

previous generation of MDmesh devices through

its new M6 technology, which combines excellent

RDS(on) * area improvement with one of the most

effective switching behaviors available, as well as

a user-friendly experience for maximum endapplication

efficiency.

Applications

? Switching applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STL16N60M6

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 系列:

    MDmesh?

  • 包裝:

    管件

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    8A(Tc)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PowerFlat?(5x6)HV

  • 封裝/外殼:

    8-PowerVDFN

  • 描述:

    MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
STMicroelectronics
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PowerFlat?(5x6)HV
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