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C08IE120HP

EmitterSwitchedBipolarTransistorESBT1200V-8A-0.10ohm

Description TheSTC08IE120HPismanufacturedinMonolithicESBTTechnology,aimedtoprovidebestperformancesinhighfrequency/highvoltageapplications. ItisdesignedforuseinGateDrivenbasedtopologies. Generalfeatures ■Highvoltage/highcurrentCascodeconfiguration ■Lowequi

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

C08IE120HV

EmitterSwitchedBipolarTransistorESBT1200V-8A-0.10ohm

Description TheSTC08IE120HVismanufacturedinMonolithicESBTTechnology,aimedtoprovidebestperformancesinhighfrequency/highvoltageapplications. ItisdesignedforuseinGateDrivenbasedtopologies. Generalfeatures ■Highvoltage/highcurrentCascodeconfiguration ■Lowequi

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STC08IE120HP

EmitterSwitchedBipolarTransistorESBT1200V-8A-0.10ohm

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STC08IE120HV

EmitterSwitchedBipolarTransistorESBT1200V-8A-0.10ohm

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    STK08IE120

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 PWR BIP/S.SIGNAL

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
C&K
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開關(guān)元件
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MINI專營(yíng)品牌全新原裝正品假一賠十
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SMD
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進(jìn)口原裝假一賠百
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SYNERGY
原廠封裝
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一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
 詢價(jià)
3M
新
5
全新原裝 貨期兩周
 詢價(jià)
3M
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
 詢價(jià)
3M
2022+
原廠原包裝
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO
 詢價(jià)
更多STK08IE120供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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