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STH260N4LF7-2中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STH260N4LF7-2
廠商型號(hào)

STH260N4LF7-2

功能描述

N-channel 40 V, 1.2 mΩ typ., 180 A, STripFET? F7 Power MOSFETs in H2PAK-2 and H2PAK-6 packages

絲印標(biāo)識(shí)

260N4LF7

封裝外殼

H2PAK-2

文件大小

598.52 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

17 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-19 23:00:00

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STH260N4LF7-2規(guī)格書詳情

Features

? Among the lowest RDS(on) on the market

? Excellent figure of merit (FoM)

? Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity

? High avalanche ruggedness

Applications

? Switching applications

Description

These N-channel Power MOSFETs utilize

STripFET? F7 technology with an enhanced

trench gate structure that results in very low onstate

resistance, while also reducing internal

capacitance and gate charge for faster and more

efficient switching.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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