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STGWT30H60DFB 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

STGWT30H60DFB參考圖片

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原廠料號：STGWT30H60DFB品牌：ST

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STGWT30H60DFB是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-3P/TO-3P-3，SC-65-3的STGWT30H60DFB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    STGWT30H60DFB

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    20 頁

  • 文件大?。?/span>

    1437.79 kb

  • 資料說明：

    Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    STGWT30H60DFB

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    383μJ（開），293μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    37ns/146ns

  • 測試條件：

    400V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 600V 60A 260W TO3PL

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市富利微電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖先生/朱小姐

  • 手機(jī)：

    15817200827

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23894711/15817200827

  • 傳真：

    0755-23894711

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場4501A室

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