首頁>STGWT30H60DFB>詳情

STGWT30H60DFB 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    STGWT30H60DFB

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

  • 庫存數(shù)量：

    30

  • 產(chǎn)品封裝：

    NA

  • 生產(chǎn)批號：

    22+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-2-21 10:08:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：STGWT30H60DFB

加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,

  • 芯片型號：

    STGWT30H60DFB

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    20 頁

  • 文件大小：

    1437.79 kb

  • 資料說明：

    Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    STGWT30H60DFB

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    383μJ（開），293μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    37ns/146ns

  • 測試條件：

    400V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 600V 60A 260W TO3PL

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市易訊博科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王小姐

  • 手機(jī)：

    13751090307

  • 詢價：
  • 電話：

    13751090307/0755-83946786

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路深紡大廈B座2006

相近型號