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STGWA60H65DFB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGWA60H65DFB
廠商型號

STGWA60H65DFB
參數(shù)屬性

STGWA60H65DFB 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT BIPO 650V 60A TO247-3
功能描述

Trench gate field-stop 650 V, 60 A high speed HB series IGBT
IGBT BIPO 650V 60A TO247-3
絲印標(biāo)識

G60H65DFB
封裝外殼

TO-247 / TO-247-3
文件大小

689.96 Kbytes
頁面數(shù)量

21 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-21 19:36:00
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STGWA60H65DFB規(guī)格書詳情

STGWA60H65DFB屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGWA60H65DFB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Description

These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop

structure. These devices are part of the new HB series of IGBTs, which

represent an optimum compromise between conduction and switching loss to

maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive

VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer

paralleling operation.

Features

? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

? High speed switching series

? Minimized tail current

? Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 60 A

? Tight parameter distribution

? Safe paralleling

? Positive VCE(sat) temperature coefficient

? Low thermal resistance

? Very fast soft recovery antiparallel diode

Applications

? Photovoltaic inverters

? High-frequency converters

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    STGWA60H65DFB

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，60A

  • 開關(guān)能量：

    1.59mJ（開），900μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    66ns/210ns

  • 測試條件：

    400V，60A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT BIPO 650V 60A TO247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST
2023
TO247-3
5200
公司原裝現(xiàn)貨/支持實(shí)單
 詢價(jià)
ST/意法
24+
TO247-3
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ST
21+
TO247-3
10000
只做原裝,質(zhì)量保證
 詢價(jià)
ST
1818+
TO-247
6
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
ST/意法
24+
標(biāo)準(zhǔn)
34750
熱賣原裝進(jìn)口
 詢價(jià)
ST(意法半導(dǎo)體)
23+
TO2473
6000
誠信服務(wù)，絕對原裝原盤
 詢價(jià)
ST
NA
16355
一級代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨
 詢價(jià)
ST
22+
NA
10000
原裝正品支持實(shí)單
 詢價(jià)
ST
24+
TO247-3
30000
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十!
 詢價(jià)
ST
22+
TO247-3
9000
只有原裝,原裝,假一罰十
 詢價(jià)

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