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STGW80V60DF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGW80V60DF
廠商型號

STGW80V60DF

參數(shù)屬性

STGW80V60DF 封裝/外殼為TO-247-3 裸露焊盤;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 120A 469W TO247

功能描述

Low thermal resistance
IGBT 600V 120A 469W TO247

封裝外殼

TO-247-3 裸露焊盤

文件大小

1.60316 Mbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-21 19:36:00

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STGW80V60DF規(guī)格書詳情

STGW80V60DF屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGW80V60DF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGW80V60DF

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,80A

  • 開關(guān)能量:

    1.8mJ(開),1mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    60ns/220ns

  • 測試條件:

    400V,80A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247

  • 描述:

    IGBT 600V 120A 469W TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
2023
TO247-3
4800
公司原裝現(xiàn)貨/支持實單
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ST/意法半導(dǎo)體
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21+
TO247-3
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