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STGW30H60DFB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

STGW30H60DFB
廠商型號(hào)

STGW30H60DFB
參數(shù)屬性

STGW30H60DFB 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 60A 260W TO247
功能描述

Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
IGBT 600V 60A 260W TO247
絲印標(biāo)識(shí)

GW30H60DFB
封裝外殼

TO-247 / TO-247-3
文件大小

1.43779 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

20 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-21 19:36:00
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STGW30H60DFB規(guī)格書(shū)詳情

STGW30H60DFB屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGW30H60DFB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

Description

These devices are IGBTs developed using an

advanced proprietary trench gate field-stop

structure. These devices are part of the new HB

series of IGBTs, which represent an optimum

compromise between conduction and switching

loss to maximize the efficiency of any frequency

converter. Furthermore, the slightly positive

VCE(sat) temperature coefficient and very tight

parameter distribution result in safer paralleling

operation.

Features

? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

? High speed switching series

? Minimized tail current

? VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A

? Tight parameters distribution

? Safe paralleling

? Low thermal resistance

? Very fast soft recovery antiparallel diode

Applications

? Photovoltaic inverters

? High frequency converters

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGW30H60DFB

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，30A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    383μJ（開(kāi)），293μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    37ns/146ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    IGBT 600V 60A 260W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST
2023
TO-247
3500
公司原裝現(xiàn)貨/支持實(shí)單
 詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
21+
TO-247-3
8860
只做原裝,質(zhì)量保證
 詢價(jià)
ST
10+
TO-247
170
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
STMicroelectronics
24+
TO-247-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
ST
24+
TO-247
30000
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十!
 詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
22+
TO-247-3
10000
只有原裝,原裝,假一罰十
 詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
21+
TO-247-3
8860
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價(jià)優(yōu)
 詢價(jià)
ST
23+
TO-247
12800
正規(guī)渠道,只有原裝!
 詢價(jià)
ST
23+
TO-247
25630
原裝正品
 詢價(jià)
ST/意法
21+
TO-247
9850
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
 詢價(jià)

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