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STGW20NB60KD 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

STGW20NB60KD參考圖片

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原廠料號(hào)：STGW20NB60KD品牌：ST

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STGW20NB60KD是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-247/TO-247-3的STGW20NB60KD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    STGW20NB60KD

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    11 頁(yè)

  • 文件大小：

    289.09 kb

  • 資料說(shuō)明：

    N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGW20NB60KD

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，20A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    675μJ（開(kāi)），500μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    39ns/105ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 50A 170W TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    林翔

  • 手機(jī)：

    18138867084

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83229017/4006767582

  • 傳真：

    0755-83229017

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華富路1046號(hào)華康二棟521室

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